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J112参数：IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing标准包装：2,000系列：-包装：散装不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：5mA@15V漏源极电压(Vdss)：-漏极电流(Id)-最大值：-FET类型：N沟道电压-击穿(V(BR)GSS)：35V不同Id时的电压-截止（VGS关）：1V@1µA不同Vds时的输入电容(Ciss)：-电阻-RDS（开）：50欧姆安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体供应商器件封装：TO-92-3功率-最大值：625mW