IXTY64N055T
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IXTY64N055T参数：MOSFET N-CH 55V 64A TO-252

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： IXTSeries30/Oct/2012
标准包装：75
系列：TrenchMV™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：64A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：13毫欧@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@25µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：37nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1420pF@25V
功率-最大值：130W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）