IXTU1R4N60P
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IXTU1R4N60P参数：MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：75
系列：PolarHV™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9 欧姆 @ 700mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：140pF @ 25V
功率 - 最大值：50W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商器件封装：TO-251