IXTT2N170D2
PDF资料下载

IXTT2N170D2参数：MOSFET N CH 1700V 2A TO-268

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：1700V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6.5 欧姆 @ 1A，0V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：110nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3650pF @ 25V
功率 - 最大值：568W
安装类型：表面贴装
封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商器件封装：TO-268