IXTP01N100D
PDF资料下载

IXTP01N100D参数：MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：110 欧姆 @ 50mA，0V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：120pF @ 25V
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220