IXTI10N60P
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IXTI10N60P参数：MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： LeadedTO-263
标准包装：50
系列：PolarHV™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：740毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：32nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1610pF@25V
功率-最大值：200W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：TO-263