IXTH150N17T
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IXTH150N17T参数：MOSFET N-CH 175V 150A TO-247

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： 170V/180VMosfet27/Sept/2012
标准包装：30
系列：TrenchHV™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：175V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：150A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：155nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：9800pF@25V
功率-最大值：830W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247