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IXTA4N60P参数：MOSFET N-CH 600V 4A D2-PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：PolarHV™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 100µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：635pF @ 25V功率 - 最大值：89W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263
