IXTA200N085T7
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IXTA200N085T7参数：MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： IXTSeries30/Oct/2012
标准包装：50
系列：TrenchMV™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：85V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5毫欧@25A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：152nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：7600pF@25V
功率-最大值：480W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-7，D²Pak（6引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装：TO-263-7