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IXTA182N055T参数：MOSFET N-CH 55V 182A TO-263
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： IXTSeries30/Oct/2012标准包装：50系列：TrenchMV™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：182A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5毫欧@25A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：114nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4850pF@25V功率-最大值：360W安装类型：表面贴装封装：TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：TO-263
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