IXSP10N60B2D1
PDF资料下载

IXSP10N60B2D1参数：IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO220AB

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：50
系列：-
包装：散装
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，10A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A
Current - Collector Pulsed (Icm)：30A
功率 - 最大值：100W
Switching Energy：430µJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：17nC
Td (on/off) A 25°C：30ns/180ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：25ns
封装：TO-220-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB