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IXGQ120N30TCD1参数：IGBT 120A 300V TO-3P
类别：分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装：30系列：-包装：管件IGBT 类型：沟道电压 - 集射极击穿（最大值）：300V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：-电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120ACurrent - Collector Pulsed (Icm)：-功率 - 最大值：-Switching Energy：-输入类型：标准Gate Charge：-Td (on/off) A 25°C：-Test Condition：-反向恢复时间 (trr)：-封装：TO-3P-3，SC-65-3安装类型：通孔供应商器件封装：TO-3P
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