IXFN100N10S1参数：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
类别：半导体模块-FET标准包装：10系列：HiPerFET™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 4mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：180nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V功率 - 最大值：360W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227B
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