IXFL38N100Q2
PDF资料下载

IXFL38N100Q2参数：MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：25
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：29A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：280 毫欧 @ 19A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：250nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13500pF @ 25V
功率 - 最大值：380W
安装类型：通孔
封装：ISOPLUS264?
供应商器件封装：ISOPLUS264?