IXFK32N100Q3
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IXFK32N100Q3参数：MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： Q3-ClassHiPerFET?PowerMOSFETs
标准包装：25
系列：HiPerFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：320毫欧@16A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：6.5V@8mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：195nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：9940pF@25V
功率-最大值：1250W
安装类型：通孔
封装：TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：TO-264AA