IPW65R190CFD
PDF资料下载

IPW65R190CFD参数：MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：240
系列：CoolMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：17.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：68nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1850pF @ 100V
功率 - 最大值：151W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3