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IPP21N03L G参数：MOSFET N-CH TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
标准包装：500
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：-
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：-
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：-
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3