IPP028N08N3 G
PDF资料下载

IPP028N08N3 G参数：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14200pF @ 40V
功率 - 最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3