IPI80N06S3-05
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IPI80N06S3-05参数：MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5.4毫欧@63A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@110µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：240nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：10760pF@25V
功率-最大值：165W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：PG-TO262-3