IPI041N12N3 G
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IPI041N12N3 G参数：MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：120V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：211nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13800pF @ 60V
功率 - 最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：PG-TO262-3