HUFA76413DK8T
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HUFA76413DK8T参数：MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
标准包装：2,500
系列：UltraFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：49毫欧@5.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：23nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：620pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：SO-8