HUF75631P3
PDF资料下载

HUF75631P3参数：MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：400
系列：UltraFET™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：33A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：79nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1220pF @ 25V
功率 - 最大值：120W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB