HTNFET-D
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HTNFET-D参数：MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：1
系列：HTMOS™
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 100mA，5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：290pF @ 28V
功率 - 最大值：50W
安装类型：通孔
封装：8-CDIP 裸露焊盘
供应商器件封装：8-CDIP-EP