HS54095TZ-E
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HS54095TZ-E参数：MOSFET N-CH 600V 200mA TO-92

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：16.5 欧姆 @ 100mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：66pF @ 25V
功率 - 最大值：750mW
安装类型：通孔
封装：TO-226-3，TO-92-3 短体
供应商器件封装：TO-92-3