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HAT2165N-EL-E参数：MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：55A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.6 毫欧 @ 27.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5180pF @ 10V功率 - 最大值：30W安装类型：表面贴装封装：8-PowerSOIC（0.156"，3.95mm）供应商器件封装：8-LFPAK-iV
