HAT2160H-EL-E
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HAT2160H-EL-E参数：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：54nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7750pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安装类型：表面贴装
封装：SC-100，SOT-669
供应商器件封装：LFPAK