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HAT1043M-EL-E参数：MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：65 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：750pF @ 10V功率 - 最大值：1.05W安装类型：表面贴装封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）供应商器件封装：6-TSOP
