FJZ594JBTF
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FJZ594JBTF参数：IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：150µA @ 5V
漏源极电压 (Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大值：1mA
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：600mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3.5pF @ 5V
电阻 - RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装：SOT-623F
供应商器件封装：SOT-623F
功率 - 最大值：100mW