FJN598JBBU
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FJN598JBBU参数：IC FET N-CHAN SI -20V 1MA TO-92

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
PCNDesign/Specification： CopperLeadFrame12/Oct/2007
标准包装：1,000
系列：-
包装：散装
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：100µA@5V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：1mA
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：20V
不同Id时的电压-截止（VGS关）：600mV@1µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3.5pF@5V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率-最大值：150mW