FDP18N20F
PDF资料下载

FDP18N20F参数：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013
标准包装：50
系列：UniFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：145毫欧@9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：26nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1180pF@25V
功率-最大值：100W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220