FDMC2523P
PDF资料下载

FDMC2523P参数：MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound17/March/2008
标准包装：3,000
系列：QFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5欧姆@1.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：270pF@25V
功率-最大值：42W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-Power33（3x3）