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FDFC2P100参数：MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008标准包装：3,000系列：PowerTrench®包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：二极管（隔离式）漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：150毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.7nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：445pF@10V功率-最大值：800mW安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6供应商器件封装：6-SSOT
