FDD6612A
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FDD6612A参数：MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
标准包装：2,500
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20毫欧@9.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.4nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：660pF@15V
功率-最大值：1.3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252-3