FDC5612
PDF资料下载

FDC5612参数：MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound08/April/2008
标准包装：3,000
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.3A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：55毫欧@4.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：18nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：650pF@25V
功率-最大值：800mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：6-SSOT