FDB8444TS
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FDB8444TS参数：MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices13/Aug/2010
标准包装：800
系列：PowerTrench®
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：70A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：5毫欧@70A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：338nC@20V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：8410pF@25V
功率-最大值：181W
安装类型：表面贴装
封装：TO-263-5，D²Pak（4引线+接片），TO-263BB
供应商器件封装：D²PAK