FDA24N50F参数：MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：30系列：UniFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：24A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：200毫欧@12A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：85nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4310pF@25V功率-最大值：270W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3PN
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