FCP190N60参数：MOSFET N-CH 600V TO220-3
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： FCP190N60E/FCP380N60ESuperFET?IIPCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：400系列：SuperFETII®包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：199毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：74nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：2950pF@25V功率-最大值：208W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
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