FCH35N60参数：MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNAssembly/Origin： WaferFabrication04/Feb/2013标准包装：30系列：SuperMOS™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：98毫欧@17.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：181nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6640pF@25V功率-最大值：312.5W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247-3
<tbody id="v40hs"></tbody>
