EMD29T2R
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EMD29T2R参数：TRANS COMPLEX DGTL PNP/NPN EMT6

类别：分立半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
产品目录绘图： EMT-6PackageTop
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷(TR)
晶体管类型：1个NPN，1个PNP-预偏压式（双）
电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA，500mA
电压-集射极击穿（最大值）：50V，12V
电阻器-基底(R1)(Ω)：1k，10k
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)：10k
不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)（最小值）：30@5mA，5V/140@100mA，2V
不同?Ib、Ic时的?Vce饱和值（最大值）：300mV@500µA，10mA/300mV@5mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：500nA
频率-跃迁：250MHz，260MHz
功率-最大值：120mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：EMT6