CSD87312Q3E
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CSD87312Q3E参数：MOSFET N-CH 30V 27A DL 8VSON

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：2,500
系列：NexFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2?N 沟道（双）共源
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：27A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 7A， 8V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-SON（3.3x3.3）