CSD86311W1723
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CSD86311W1723参数：MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： NexFETMOSFETTechnology
视频文件： NexFETPowerBlock PowerStack?PackagingTechnologyOverview
标准包装：3,000
系列：NexFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：25V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：39毫欧@2A，8V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：585pF@12.5V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：12-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装：12-DSBGA（1.53x1.98）