CSD25211W1015
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CSD25211W1015参数：MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：NexFET™
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：570pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：6-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装：6-DSBGA（1x1.5）