CM100DU-12F参数：IGBT MOD DUAL 600V 100A F SER
类别：半导体�？�-IGBT标准包装：10系列：IGBTMOD™IGBT 类型：沟道配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.2V @ 15V，100A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100A电流 - 集电极截止（最大值）：1mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：27nF @ 10V功率 - 最大值：350W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：�？�供应商器件封装：�？�
<tfoot id="8oswi"></tfoot>
