APT26M100JCU2
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APT26M100JCU2参数：MOSFET N CH 1000V 26A SIC SOT227

类别：半导体模块-FET
标准包装：1
系列：POWER MOS 8™
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：碳化硅 (SiC)
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：26A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：396 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：305nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7868pF @ 25V
功率 - 最大值：543W
安装类型：底座安装
封装：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：SOT-227