APT22F120B2
PDF资料下载

APT22F120B2参数：MOSFET N-CH 1200V 23A T-MAX

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：30
系列：POWER MOS 8™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：23A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：700 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8370pF @ 25V
功率 - 最大值：1040W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3 变式
供应商器件封装：T-MAX? [B2]