APT19M120J
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APT19M120J参数：MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227

类别：半导体模块-FET
标准包装：10
系列：POWER MOS 8™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：19A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：530 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9670pF @ 25V
功率 - 最大值：545W
安装类型：底座安装
封装：SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装：ISOTOP?