2SK596S-B
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2SK596S-B参数：MOSFET J-FET N-CH 20V 1MA SPA

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：500
系列：-
包装：散装
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：150µA @ 5V
漏源极电压 (Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大值：1mA
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：400mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4.1pF @ 5V
电阻 - RDS（开）：-
安装类型：通孔
封装：SC-72
供应商器件封装：3-SPA
功率 - 最大值：100mW