2SK536-TB-E
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2SK536-TB-E参数：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： CPPackageN-Channel&RFFets,Top
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：50V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20欧姆@10mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：15pF@10V
功率-最大值：200mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP