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2SK536-TB-E参数：MOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： CPPackageN-Channel&RFFets,Top标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：50V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：20欧姆@10mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：15pF@10V功率-最大值：200mW安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：3-CP
