2SK326800L
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2SK326800L参数：MOSFET N-CH 100V 15A UG-2

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： U-G2Type
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：15A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：100毫欧@12A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：960pF@10V
功率-最大值：20W
安装类型：表面贴装
封装：U-G2
供应商器件封装：U-DL